Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD669A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS