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Transistor

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Esaurito
2SB175

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SB175
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.125W
2SB175
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.125W
Set da 1
0.70€ IVA incl.
(0.57€ Iva esclusa)
0.70€
Esaurito
2SB185

2SB185

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. Corrente del collettore: 0.15A. Nota: >30. P...
2SB185
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. Corrente del collettore: 0.15A. Nota: >30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
2SB185
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. Corrente del collettore: 0.15A. Nota: >30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V
Set da 1
1.57€ IVA incl.
(1.29€ Iva esclusa)
1.57€
Quantità in magazzino : 4
2SB511

2SB511

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro...
2SB511
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
2SB511
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
Set da 1
1.55€ IVA incl.
(1.27€ Iva esclusa)
1.55€
Quantità in magazzino : 8
2SB511A

2SB511A

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 1.5...
2SB511A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V
2SB511A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V
Set da 1
1.98€ IVA incl.
(1.62€ Iva esclusa)
1.98€
Quantità in magazzino : 2
2SB514

2SB514

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro...
2SB514
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W
2SB514
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W
Set da 1
1.28€ IVA incl.
(1.05€ Iva esclusa)
1.28€
Quantità in magazzino : 2
2SB526

2SB526

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SB526
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V/80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
2SB526
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V/80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
Set da 1
2.61€ IVA incl.
(2.14€ Iva esclusa)
2.61€
Esaurito
2SB529

2SB529

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SB529
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
2SB529
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W
Set da 1
1.11€ IVA incl.
(0.91€ Iva esclusa)
1.11€
Quantità in magazzino : 20
2SB542

2SB542

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SB542
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
2SB542
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
Set da 1
1.99€ IVA incl.
(1.63€ Iva esclusa)
1.99€
Quantità in magazzino : 6
2SB544

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SB544
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W
2SB544
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W
Set da 1
0.62€ IVA incl.
(0.51€ Iva esclusa)
0.62€
Quantità in magazzino : 620
2SB562C

2SB562C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: hFE 120...240. C...
2SB562C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: hFE 120...240. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD468
2SB562C
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: hFE 120...240. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD468
Set da 1
0.40€ IVA incl.
(0.33€ Iva esclusa)
0.40€
Quantità in magazzino : 4
2SB642

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Cor...
2SB642
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Alloggiamento: SC-71. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
2SB642
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Alloggiamento: SC-71. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
Set da 1
0.37€ IVA incl.
(0.30€ Iva esclusa)
0.37€
Quantità in magazzino : 13
2SB643

2SB643

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SB643
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W
2SB643
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W
Set da 1
0.46€ IVA incl.
(0.38€ Iva esclusa)
0.46€
Quantità in magazzino : 135
2SB647

2SB647

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Gu...
2SB647
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB647
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
1.76€ IVA incl.
(1.44€ Iva esclusa)
1.76€
Quantità in magazzino : 134
2SB647-SMD

2SB647-SMD

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Gu...
2SB647-SMD
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB647-SMD
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
1.22€ IVA incl.
(1.00€ Iva esclusa)
1.22€
Quantità in magazzino : 146
2SB649A

2SB649A

Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE...
2SB649A
Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD669A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB649A
Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD669A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
1.76€ IVA incl.
(1.44€ Iva esclusa)
1.76€
Quantità in magazzino : 41
2SB688

2SB688

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 160. ...
2SB688
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 8A. Marcatura sulla cassa: B668. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD718
2SB688
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 8A. Marcatura sulla cassa: B668. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD718
Set da 1
2.76€ IVA incl.
(2.26€ Iva esclusa)
2.76€
Quantità in magazzino : 2
2SB695

2SB695

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 7A....
2SB695
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 170V
2SB695
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 170V
Set da 1
12.13€ IVA incl.
(9.94€ Iva esclusa)
12.13€
Quantità in magazzino : 1
2SB707

2SB707

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro...
2SB707
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W
2SB707
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W
Set da 1
4.39€ IVA incl.
(3.60€ Iva esclusa)
4.39€
Quantità in magazzino : 18
2SB709

2SB709

Costo): 2.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE...
2SB709
Costo): 2.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: AQ. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MINI MOLD. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD601. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SB709
Costo): 2.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: AQ. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MINI MOLD. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD601. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
0.90€ IVA incl.
(0.74€ Iva esclusa)
0.90€
Quantità in magazzino : 5
2SB745

2SB745

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro pas...
2SB745
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
2SB745
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
Set da 1
0.73€ IVA incl.
(0.60€ Iva esclusa)
0.73€
Quantità in magazzino : 9
2SB764

2SB764

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro pa...
2SB764
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W
2SB764
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W
Set da 1
0.65€ IVA incl.
(0.53€ Iva esclusa)
0.65€
Quantità in magazzino : 107
2SB772

2SB772

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Corrente del collettore: 3A...
2SB772
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD882. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
2SB772
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD882. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 12...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1047. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1047. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT...
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1133
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1133
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materi...
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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