Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.76€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
10 - 24 | 2.03€ | 2.48€ |
25 - 41 | 1.92€ | 2.34€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.26€ | 2.76€ |
5 - 9 | 2.14€ | 2.61€ |
10 - 24 | 2.03€ | 2.48€ |
25 - 41 | 1.92€ | 2.34€ |
2SB688. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 8A. Marcatura sulla cassa: B668. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD718. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.
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