2SB709

2SB709. Costo): 2.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: AQ. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MINI MOLD. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD601. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.