Transistor

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: BA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 (SC-62). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 39pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126ML. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: NF/SL. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1683. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-E-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: High-Current switching, low-sat. Corrente del collettore: 8A. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1804. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 320 MHz. Funzione: Commutazione stroboscopica ad alta corrente. Corrente del collettore: 5A. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 3A. Nota: =4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: TU2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 2A. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 4.5A. Marcatura sulla cassa: B1243 (RN). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Corrente del collettore: 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 3A. Nota: >2000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 6A. Nota: =10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1933

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Guadagno hFE massimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390

Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2394

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2401

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2438. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2439. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( SOT-93 ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 6A. Nota: >5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2495

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Funzione: Amplificatore e regolatore di potenza audio HI-FI. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2560

Costo): 100pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): MT-25 (TO220). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2589. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS