Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 4 | 3.99€ | 4.87€ |
5 - 9 | 3.79€ | 4.62€ |
10 - 24 | 3.59€ | 4.38€ |
25 - 49 | 3.39€ | 4.14€ |
50 - 99 | 3.31€ | 4.04€ |
100+ | 3.11€ | 3.79€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 4 | 3.99€ | 4.87€ |
5 - 9 | 3.79€ | 4.62€ |
10 - 24 | 3.59€ | 4.38€ |
25 - 49 | 3.39€ | 4.14€ |
50 - 99 | 3.31€ | 4.04€ |
100+ | 3.11€ | 3.79€ |
2SB1204. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: High-Current switching, low-sat. Corrente del collettore: 8A. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20 ns. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1804. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.
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