Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81€ | 0.99€ |
5 - 9 | 0.77€ | 0.94€ |
10 - 24 | 0.73€ | 0.89€ |
25 - 49 | 0.69€ | 0.84€ |
50 - 89 | 0.67€ | 0.82€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81€ | 0.99€ |
5 - 9 | 0.77€ | 0.94€ |
10 - 24 | 0.73€ | 0.89€ |
25 - 49 | 0.69€ | 0.84€ |
50 - 89 | 0.67€ | 0.82€ |
2SB1132. Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: BA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 (SC-62). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.
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