Transistor

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 0.03A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): PNP. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 30 v

Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): D8A/C. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF. Corrente del collettore: 0.05A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2073. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: audio/video. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: Altezza 9 mm

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 0.8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2240. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2275

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 8W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M10/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W

Resistenza BE: 47. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Corrente del collettore: 0.1A. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623S. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS