Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SB1123T

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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.08€ 1.32€
5 - 9 1.02€ 1.24€
10 - 24 0.97€ 1.18€
25 - 49 0.92€ 1.12€
50 - 99 0.90€ 1.10€
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2SB1123T. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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2SA1213Y

2SA1213Y

Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE...
2SA1213Y
Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: NY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-5K1A. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / codice SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1213Y
Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: NY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-5K1A. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / codice SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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