2SA1213Y

2SA1213Y. Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Marcatura sulla cassa: NY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-5K1A. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / codice SMD NY. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.