Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3299

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F (2-8A1H). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3421Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-8H1A. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3423. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 5V. Funzione: video. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 3.1pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di tensione audio, definizione CRT, uscita video. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: A1381-E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3503. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1386A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Peso: 6g. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100(TO3P). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3519A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1492. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3856

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 17A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3858

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: Hi-def, Cre=2.2pF. Corrente del collettore: 0.2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3953

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/S. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF-S. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: TV-NF-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4381

Costo): 60pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Transistor PNP ad alta tensione per applicazioni audio e generiche.. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4382. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4466

Costo): 36pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4793. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 320pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 10A. Marcatura sulla cassa: A1941. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5198. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS