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2SA1381

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2SA1381. Costo): 3.1pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di tensione audio, definizione CRT, uscita video. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: A1381-E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3503. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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MJE350-ONS

MJE350-ONS

C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. ...
MJE350-ONS
C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE350-ONS
C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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MJE350

MJE350

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 3...
MJE350
Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
MJE350
Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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MJE340
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2SC5200

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Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Am...
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2SA1943

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Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: si...
2SA1943
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...
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BT-L-200V

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Stato di base: Chiuso. Connettori: 2 terminali faston 6,3x0,8mm. Durata di vita: na.. Funzione: inte...
BT-L-200V
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67L100

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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
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BT-L-160H

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Stato di base: Chiuso. Connettori: 2 terminali faston 6,3x0,8mm. Durata di vita: na.. Funzione: inte...
BT-L-160H
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67L110

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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
67L110
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67F070

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Stato di base: contatto normalmente aperto. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
67F070
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