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2SA1941-TOS

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2SA1941-TOS. Costo): 320pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 10A. Marcatura sulla cassa: A1941. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5198. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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