Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Funzione: Amplificatori e applicazioni di commutazione. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 90V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6488G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.075W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6488

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 90V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6488

Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6520. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -350V. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-46. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6550. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale N. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +125°C

C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. C(in): 50pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a piccolo segnale. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 702. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 7.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: 702. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: K72. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 2.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7.6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.37W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 22pF. Costo): 11pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 2. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K72. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. Rds sulla resistenza attiva: 3.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Controllo motore, gestione della potenza. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 72. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 580pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Funzione: Driver dello schermo al plasma. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 87 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220D-A1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 125pF. Tipo di canale: N. Funzione: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 75 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220D-A1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.95V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 540V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: S-L, Low-sat. Corrente del collettore: 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2562

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92, 2-5F1B. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1162. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 4pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: hFE.120-240. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: 1015 Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1815Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: RM-60. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2581

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 17A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 17A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): PNP. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 200V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SA1120. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 170 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP