Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N6520

2N6520
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2 - 2 0.42€ 0.51€
3 - 4 0.40€ 0.49€
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Set da 10

2N6520. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -350V. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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Costo): 1.6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE...
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Costo): 1.6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BF493S
Costo): 1.6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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