Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor NPN planare epitassiale . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 7V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Data di produzione: 2014/06. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 7V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 117W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 250V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 175V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF-S. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3772. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200kHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Corrente del collettore: 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3773G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 140V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Amplificatore VHF/RF. ID (T=25°C): 20mA. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Epitaxial. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3820. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): JFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V

C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Alloggiamento: TO-92. Marcatura del produttore: 2N3904. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 40V. Corrente del collettore: 0.2A. Potenza: 0.625W. Frequenza massima: 300MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare Si-epitassiale. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3906. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150...500 MHz. Funzione: S. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39 ( TO-5 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 30pF. Costo): 6.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.9A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor PNP. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -50V. Corrente del collettore: -50mA. Frequenza massima: 40 MHz. Alloggiamento: TO-92

Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 250. Corrente del collettore: 50mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 3V. Funzione: preamplificatore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 10pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 900. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.2GHz. Guadagno hFE massimo: 210. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 0.4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 3V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS