2N4403BU
| Qnéuantità (Set da 5) | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.73€ | 0.89€ |
| 3 - 4 | 0.70€ | 0.85€ |
| 5 - 9 | 0.66€ | 0.81€ |
| 10 - 19 | 0.62€ | 0.76€ |
| 20 - 49 | 0.59€ | 0.72€ |
| 50 - 95 | 0.50€ | 0.61€ |
| Qnéuantità (Set da 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.73€ | 0.89€ |
| 3 - 4 | 0.70€ | 0.85€ |
| 5 - 9 | 0.66€ | 0.81€ |
| 10 - 19 | 0.62€ | 0.76€ |
| 20 - 49 | 0.59€ | 0.72€ |
| 50 - 95 | 0.50€ | 0.61€ |
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2N4403BU. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.
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RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 30pF. Costo): 8.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo Pack. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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