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2N3439

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2N3439. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S/VID. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor NPN planare epitassiale . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 7V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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