Transistor

Quantità per scatola: 1. Funzione: P-FET S. ID (T=25°C): 6mA. Idss (massimo): 6mA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18

Costo): 4pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5401. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Vebo: 4 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità e amplificatore lineare. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Idss (massimo): 9mA. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 2250pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 53 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Uni sym. Idss (massimo): 16mA. ID (min): 4mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

C(in): 5pF. Costo): 2pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Idss (massimo): 5mA. ID (min): 1mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: J-FET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: VHF/UHF, amplificatore RF

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 5551. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5886

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 25A. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5884. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5886G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6027G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -50...+100°C. Spec info: Transistor unigiunzione programmabile

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor bipolare, strato singolo (PUT). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6028G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +100°C

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 12A. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-O Tr. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12W. Custodia (secondo scheda tecnica): M135. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Spec info: SD1012. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Corrente del collettore: 7A. Nota: hFE 20. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 275V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 225V

Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6287G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Dissipazione massima Ptot [W]: 160W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-66. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-66. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V