Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459

Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459
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1 - 4 0.70€ 0.85€
5 - 9 0.67€ 0.82€
10 - 24 0.65€ 0.79€
25 - 49 0.63€ 0.77€
50 - 99 0.62€ 0.76€
100 - 249 0.55€ 0.67€
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Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459. Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 16mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 53 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 4mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 12/08/2025, 14:08.

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BF245B

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Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. All...
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Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
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Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
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BF245C

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Transistor a canale N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. All...
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Transistor a canale N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V
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Transistor a canale N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V
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