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2N6080

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2N6080. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-O Tr. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12W. Custodia (secondo scheda tecnica): M135. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Spec info: SD1012. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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