Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458

Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458
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Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458. Transistor a canale N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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BF245B

BF245B

Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. All...
BF245B
Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
BF245B
Transistor a canale N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 15mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. Protezione GS: NINCS. ID (min): 6mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 3.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1.6V
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MMBF5458

MMBF5458

Transistor a canale N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiam...
MMBF5458
Transistor a canale N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 61S. Marcatura sulla cassa: 61 S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V
MMBF5458
Transistor a canale N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/codice SMD 61S. Marcatura sulla cassa: 61 S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 3.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7V. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V
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2N5459

2N5459

Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 16mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia...
2N5459
Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 16mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 53 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 4mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V
2N5459
Transistor a canale N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (massimo): 16mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 53 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Uni sym. Protezione GS: NINCS. ID (min): 4mA. IGF: 10mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor JFET per uso generale. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V
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2N5458
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Corrente diretta (AV): 15mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-3...
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JC-118-F
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