2N6059
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.67€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.34€ |
| 3 - 4 | 4.92€ | 6.00€ |
| 5 - 9 | 4.65€ | 5.67€ |
| 10 - 19 | 4.54€ | 5.54€ |
| 20 - 29 | 4.43€ | 5.40€ |
| 30+ | 4.27€ | 5.21€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 5.47€ | 6.67€ |
| 2 - 2 | 5.20€ | 6.34€ |
| 3 - 4 | 4.92€ | 6.00€ |
| 5 - 9 | 4.65€ | 5.67€ |
| 10 - 19 | 4.54€ | 5.54€ |
| 20 - 29 | 4.43€ | 5.40€ |
| 30+ | 4.27€ | 5.21€ |
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2N6059. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 12A. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.
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Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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