Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.29€ | 0.35€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.27€ | 0.33€ |
250 - 256 | 0.24€ | 0.29€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.29€ | 0.35€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.27€ | 0.33€ |
250 - 256 | 0.24€ | 0.29€ |
2N5210. Costo): 4pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.
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