Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

1N914

1N914
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 0.58€ 0.71€
5 - 9 0.55€ 0.67€
10 - 24 0.52€ 0.63€
25 - 49 0.51€ 0.62€
50 - 99 0.49€ 0.60€
100 - 149 0.46€ 0.56€
150 - 720 0.44€ 0.54€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
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Set da 10

1N914. Corrente diretta (AV): 300mA. IFSM: 4A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: 0...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 620mV. Prodotto originale del produttore On Semiconductor (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 04/09/2025, 04:56.

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1N4448

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VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (sec...
1N4448
VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Do: 4pF. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C
1N4448
VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Do: 4pF. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C
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1N4148

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Alloggiamento: DO35. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Tipo di diodo: Switchin...
1N4148
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1N4150

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Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecn...
1N4150
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1N4007

1N4007

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento...
1N4007
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1N4007
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1N4151

1N4151

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecn...
1N4151
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ICG-08P

ICG-08P

Numero di terminali: 8:1. Unità di condizionamento: Tubo da 8 pezzi. Varie: contatti di precisione....
ICG-08P
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ICG-08P
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1N4149

1N4149

Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tec...
1N4149
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Quantità in magazzino : 129
BAT-23A-GP

BAT-23A-GP

Tipo: batteria alcalina. Unità di condizionamento: 5...
BAT-23A-GP
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BAT-23A-GP
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2SK3566

2SK3566

Transistor a canale N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID...
2SK3566
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2SK3566
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361190054011

361190054011

Voltaggio bobina: 5VDC. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Numero di terminali: 5. Dimensioni...
361190054011
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IRFP9140N

IRFP9140N

Transistor a canale P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250mA....
IRFP9140N
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IRFP9140N
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