Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

1N4151

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Qnéuantità (Set da 25) Iva esclusa IVA incl.
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2 - 3 0.89€ 1.09€
4 - 9 0.84€ 1.02€
10 - 19 0.79€ 0.96€
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Qnéuantità (Set da 25) U.P
1 - 1 0.94€ 1.15€
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Set da 25

1N4151. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 19:25.

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1N4148

1N4148

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda ...
1N4148
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
1N4148
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 75V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Set da 10
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1N4448

1N4448

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PC...
1N4448
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
1N4448
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda ...
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1N4150

1N4150

Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecn...
1N4150
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1N4007

1N4007

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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1N4151

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Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecn...
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ICG-08P

ICG-08P

Unità di condizionamento: Tubo da 8 pezzi. Varie: contatti di precisione. Materiale del rivestiment...
ICG-08P
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ICG-08P
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1N4149

1N4149

Corrente diretta (AV): 500mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tec...
1N4149
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Quantità in magazzino : 169
BAT-23A-GP

BAT-23A-GP

Tipo: batteria alcalina. Unità di condizionamento: 5...
BAT-23A-GP
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BAT-23A-GP
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1.55€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 46
2SK3566

2SK3566

Transistor a canale N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=100°C): 2.5A. ID...
2SK3566
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2SK3566
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Quantità in magazzino : 76
361190054011

361190054011

Voltaggio bobina: 5VDC. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Numero di terminali: 5. Dimensioni...
361190054011
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361190054011
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Quantità in magazzino : 16
IRFP9140N

IRFP9140N

Transistor a canale P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250mA....
IRFP9140N
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IRFP9140N
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