Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4151

1N4151
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1 - 1 0.94€ 1.15€
2 - 3 0.89€ 1.09€
4 - 9 0.84€ 1.02€
10 - 19 0.79€ 0.96€
20 - 39 0.67€ 0.82€
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1N4151. Diodo Trr (min.): 2 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ultraveloce, Ifsm 1us 2A. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (max): 50nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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1N4148
Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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1N4448

1N4448

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PC...
1N4448
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
1N4448
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
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