Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4150

1N4150
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1 - 4 0.61€ 0.74€
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10 - 24 0.55€ 0.67€
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1N4150. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. VRRM: 50V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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1N4448
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo al silicio per piccolo segnale. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-35. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Custodia (standard JEDEC): 0.45A. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V
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