2N5109

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	6.58€	8.03€
2 - 2	6.25€	7.63€
3 - 4	5.92€	7.22€
5 - 9	5.59€	6.82€
10 - 19	5.46€	6.66€
20 - 23	5.33€	6.50€

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Set da 1

2N5109. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.2GHz. Guadagno hFE massimo: 210. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 0.4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Vebo: 3V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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