Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N3771. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.2 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 30A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.

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2N3772

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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA....
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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3772. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200kHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
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RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3772. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200kHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
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