2N6517

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1 - 9	0.26€	0.32€
10 - 24	0.25€	0.31€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.21€	0.26€
250 - 345	0.18€	0.22€

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Set da 1

2N6517. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6520. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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