Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N7000-ONS

2N7000-ONS
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2N7000-ONS. C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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2N7000

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C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ...
2N7000
C(in): 60pF. Costo): 25pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (massimo): 1000uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 2n7000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 10 ns. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): O-92Ammo-Pack. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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