Transistor

Tipo di transistor: transistor PNP. Polarità: PNP. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Tensione collettore-emettitore VCEO: -230V. Corrente del collettore: -15A. Frequenza massima: 30 MHz

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Funzione: NF-HI-FI. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5242. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5359

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Corrente del collettore: 8A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5707

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ). Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5707

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 25A. Marcatura sulla cassa: A2210. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3SG. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: Driver relè, driver lampada, driver motore. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC6082. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.05W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.4A. Nota: hFE 70...140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: 2SA562-O

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.4A. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Spec info: KTA562-Y

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.15A. Id(imp): 0.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 160 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Corrente del collettore: 2.5A. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Spec info: transistor complementare (coppia)

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 55V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 0.1A. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W