Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SB1123S

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2SB1123S. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623S. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Costo): 36pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1797Q
Costo): 36pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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