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2SB1342. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1933. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 6A. Nota: =10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Corrente del collettore: 6A. Nota: =10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V
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