2SB1470

2SB1470. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.