Transistor

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W

Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1207

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 0.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.9W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 210V. Spec info: 8-726-720-00

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: hFE 100..200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA673A

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: TV-IF. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Spec info: Altezza 9 mm

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M18/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W