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2SC1127-2

2SC1127-2
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2SC1127-2. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.9W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 210V. Spec info: 8-726-720-00. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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Costo): 5.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 5.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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