2SC1962
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.33€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.22€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.33€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.22€ |
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2SC1962. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.
Prodotti equivalenti :
BF460
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (d...
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Quantità per scatola: 1
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Quantità per scatola: 1
MJE340
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. C...
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
MJE340-ST
Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-...
Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BF461
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (d...
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1
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