2SC2632
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.79€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.72€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.66€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.65€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.61€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.79€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.72€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.68€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.66€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.65€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.61€ |
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
2SC2632. RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.
Prodotti equivalenti :
2SC2911
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno...
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.14A. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.14A. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2910
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro pass...
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208
KSC2310-Y
Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hF...
Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.