Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SC2412

2SC2412
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2SC2412. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Corrente del collettore: 0.15A. Marcatura sulla cassa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD BQ. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1037. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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BC847B

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1...
BC847B
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1F
BC847B
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Corrente del collettore: 0.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1F
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