2SC3303

2SC3303. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.