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2SC3280

2SC3280
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2SC3280. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1301. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.

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2SC3281
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC3281
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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