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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A. Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: C3886A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: MONITOR. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (s...
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia...
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Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Numero di terminali: 3. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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