Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M46/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): NPN. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1.5 kV. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: NPN

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/600V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: NPN. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 600V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M37/J. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 1A. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Spec info: isolato

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA (isolato). Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA (isolato). Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 17A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/SL. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: hFE 100...200. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 4A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1123S. Marcatura sulla cassa: DF. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DF. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Corrente del collettore: 2A. Nota: hFE 200...400. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DF, transistor complementare (coppia) 2SB1123T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: DG. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DG

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 4000. Guadagno hFE minimo: 3000. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: DI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO PCP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/codice SMD DI, transistor complementare (coppia) 2SB1126. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Corrente del collettore: 2A. Nota: hFE 3000...4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Funzione: Corrente CC elevata, driver relè, controllo della regolazione della tensione. Spec info: serigrafia/codice SMD DJ