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Transistor

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2SD2061

2SD2061

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Configurazione: montaggio a foro...
2SD2061
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 30W. Range di temperatura di funzionamento max (°C): montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V
2SD2061
RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 30W. Range di temperatura di funzionamento max (°C): montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V
Set da 1
1.51€ IVA incl.
(1.24€ Iva esclusa)
1.51€
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2SD2089

2SD2089

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Corrente del colletto...
2SD2089
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
2SD2089
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Corrente del collettore: 3.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
Set da 1
2.95€ IVA incl.
(2.42€ Iva esclusa)
2.95€
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2SD2092

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente...
2SD2092
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 3A. Nota: >500. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
2SD2092
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente del collettore: 3A. Nota: >500. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V
Set da 1
10.22€ IVA incl.
(8.38€ Iva esclusa)
10.22€
Quantità in magazzino : 1
2SD2125

2SD2125

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettor...
2SD2125
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V
2SD2125
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V
Set da 1
3.83€ IVA incl.
(3.14€ Iva esclusa)
3.83€
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2SD213

2SD213

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissi...
2SD213
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V
2SD213
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V
Set da 1
6.28€ IVA incl.
(5.15€ Iva esclusa)
6.28€
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2SD2222

2SD2222

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz...
2SD2222
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V
2SD2222
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V
Set da 1
9.99€ IVA incl.
(8.19€ Iva esclusa)
9.99€
Quantità in magazzino : 13
2SD227

2SD227

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-HA. Corrente ...
2SD227
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 0.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v
2SD227
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 0.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v
Set da 1
1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
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2SD2331

2SD2331

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettor...
2SD2331
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2331
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Corrente del collettore: 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Set da 1
2.85€ IVA incl.
(2.34€ Iva esclusa)
2.85€
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2SD2375

2SD2375

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50MHz. Funzione: Amplificazione di ...
2SD2375
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50MHz. Funzione: Amplificazione di potenza con elevata corrente diretta. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD2375
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50MHz. Funzione: Amplificazione di potenza con elevata corrente diretta. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
4.68€ IVA incl.
(3.84€ Iva esclusa)
4.68€
Quantità in magazzino : 65
2SD2390-SKN

2SD2390-SKN

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz...
2SD2390-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( MT-100 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1560. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD2390-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( MT-100 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1560. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
6.67€ IVA incl.
(5.47€ Iva esclusa)
6.67€
Esaurito
2SD2391

2SD2391

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: S Io-sat. Corren...
2SD2391
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: S Io-sat. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD DT. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1561
2SD2391
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: S Io-sat. Corrente del collettore: 2A. Nota: serigrafia/codice SMD DT. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1561
Set da 1
0.93€ IVA incl.
(0.76€ Iva esclusa)
0.93€
Quantità in magazzino : 456
2SD2394

2SD2394

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. G...
2SD2394
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: D2394. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V
2SD2394
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: D2394. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V
Set da 1
2.39€ IVA incl.
(1.96€ Iva esclusa)
2.39€
Quantità in magazzino : 107
2SD2396

2SD2396

Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE ...
2SD2396
Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD2396
Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
2.59€ IVA incl.
(2.12€ Iva esclusa)
2.59€
Esaurito
2SD2401-SKN

2SD2401-SKN

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ...
2SD2401-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1588. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2401-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1588. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Set da 1
24.85€ IVA incl.
(20.37€ Iva esclusa)
24.85€
Quantità in magazzino : 47
2SD2439

2SD2439

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz...
2SD2439
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1588. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
2SD2439
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1588. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Set da 1
3.05€ IVA incl.
(2.50€ Iva esclusa)
3.05€
Esaurito
2SD2494-SKN

2SD2494-SKN

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz...
2SD2494-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 6A. Nota: >5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1625
2SD2494-SKN
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Corrente del collettore: 6A. Nota: >5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1625
Set da 1
14.84€ IVA incl.
(12.16€ Iva esclusa)
14.84€
Esaurito
2SD2499

2SD2499

Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. F...
2SD2499
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
2SD2499
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
Set da 1
3.82€ IVA incl.
(3.13€ Iva esclusa)
3.82€
Quantità in magazzino : 55
2SD2499-PMC

2SD2499-PMC

Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. F...
2SD2499-PMC
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
2SD2499-PMC
Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA Hi-r. Corrente del col...
2SD2553
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA Hi-r. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Nota: Vce(sat)=5V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA Hi-r. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Nota: Vce(sat)=5V
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Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: ...
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Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 3A. Potenza: 1.5W. Frequenza massima: 50 MHz. Alloggiamento: MT-3-A1
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Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 3A. Potenza: 1.5W. Frequenza massima: 50 MHz. Alloggiamento: MT-3-A1
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Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz...
2SD2589
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: TO-220. Guadagno hFE massimo: 12000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 6A. Marcatura sulla cassa: D2589. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1659
2SD2589
Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: TO-220. Guadagno hFE massimo: 12000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 6A. Marcatura sulla cassa: D2589. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1659
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Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Quantità per scatola: 1. Materi...
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Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: 2A. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SD330
Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: 2A. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: ...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 3. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissip...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 22W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 22W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 1....
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V
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