2SD2375

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2SD2375. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50MHz. Funzione: Amplificazione di potenza con elevata corrente diretta. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 09:25.

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