2SD2396

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25 - 49	1.80€	2.20€
50 - 99	1.55€	1.89€
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2SD2396. Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

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2SC4495

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Hig...

Set da 1

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