Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore ROHM. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 02:25.

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2SC4495

2SC4495

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220...
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V
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