Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SD1328. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: 2.32k Ohms. Corrente del collettore: 0.5A. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 23:25.

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Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6B. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: 6B. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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