2SD1669

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2SD1669. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 12A. Id(imp): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1136. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantità in stock aggiornata il 10/01/2025, 18:25.

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