2SD1825

2SD1825. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 5000. Guadagno hFE minimo: 2000. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio". Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 05:25.