Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK1118-PMC

2SK1118-PMC
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2SK1118-PMC. C(in): 1400pF. Costo): 250pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 460 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 300uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.95 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 12:25.

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2SK2545

2SK2545

C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1...
2SK2545
C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
2SK2545
C(in): 1300pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 1000 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100uA. Marcatura sulla cassa: K2545. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 45 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì
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2SK2645

2SK2645

C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
2SK2645
C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK2645
C(in): 900pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100nA. ID (min): 10nA. Marcatura sulla cassa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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2SK1507

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2SK1507
C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
2SK1507
C(in): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: K1507. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 160 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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